ALD 的优点

• 较低的生长温度
• 优良的薄膜质量
• 优良的阶梯覆盖
• 良好的薄膜均匀性
• 低生长速率 (~0.1 nm/周期)

ALD 不仅提供了优良的厚度控制和均匀性，而且 3D 结构可以用保形涂层覆盖高展弦比结构。

• 氧化物
  • 高品质低温加工
  • 掺杂混合
• 氮化物
  • 低电阻率
  • 低氧含量
  • 高折射率
• 金属
  • 等离子体成核延迟低
  • 低温沉积

通过使用顺序的试剂，暴露和表面限制反应，以产生高度一致的铝制品，细腻的控制薄膜厚度。