ICP-RIE是一种高密度等离子体刻蚀技术，它利用感应耦合等离子源来产生高密度的等离子体。在 ICP-RIE 中，通过在等离子体产生区域放置 RF 天线，创建交替的 RF 磁场，并在低压下激发电子参与气体分子和原子的电离。