| 材料 | 湿蚀刻剂 | 评价 |
|---|---|---|
| SiO₂ | HF (49% in water) “straight HF” NH₄F:HF (6:1) “Buffered HF” or “BOE” | 相对于硅具有选择性（即，与硅相比，刻蚀硅的速度非常慢）。刻蚀速率取决于膜的密度和掺杂。 刻蚀速率约为纯氟酸的1/20。刻蚀速率取决于膜的密度和掺杂。不会像直氟酸那样剥离光刻胶。 |
| Si₃N₄ | HF (49%) H₃PO₄:H₂O (在130-150°C沸腾) | 刻蚀速率强烈依赖于膜的密度、氧、氢含量。 对二氧化硅具有选择性。 需要氧化物掩膜。 |
| Al | H₃PO₄:H₂O:HNO₃:CH₃COOH (16:2:1:1) | 对硅、二氧化硅和光刻胶具有选择性。 |
| Polysilicon | HNO₃:H₂O:HF (+ CH₃COOH) (50:20:1) | 刻蚀速率取决于刻蚀剂的成分。 |
| Single crystal Si | HNO₃:H₂O:HF (+ CH₃COOH) (50:20:1) | 刻蚀速率取决于刻蚀剂的成分。 |
| Ti | NH₄OH:H₂O₂:H₂O (1:1:5) | 对二硅化钛（TiSi₂）具有选择性。 |
| TiN | NH₄OH:H₂O₂:H₂O (1:1:5) | 对二硅化钛（TiSi₂）具有选择性。 |
| TiSi₂ | NH₄F:HF (6:1) | |
| Photoresist | H₂SO₄:H₂O₂ (125°C) 有机剥离剂 | 适用于没有金属的晶圆。 适用于带金属的晶圆。 |