后刻蚀抗蚀剂剥离

光刻胶通常会受到刻蚀的影响，刻蚀残留物会覆盖在光刻胶上，刻蚀气体会使光刻胶浸渍，在刻蚀后去除光刻胶通常比在刻蚀前更难。

通常首选温丙酮，但有时必须使用其他选项：氧等离子体 (灰化)，更具活性的化学物质 (如硫酸-过氧化氢“pirhana”刻蚀)，稀释 HF 用于去除残留 HSQ。