STM 使用尖锐的导电尖端，在尖端和样品之间施加偏置电压。
当尖端进入表面的短距离内时（≈ 1 nm），电子开始隧穿并且电流流动。隧道电流随着尖端与表面的距离而变化，并构成成像的基础。
STM 无法对非导电材料成像。
成像具有亚埃精度（0.01 nm）的垂直和原子分辨率（0.1 nm）。
以恒定高度（当前为数据集）或恒定电流（扫描仪的垂直运动为数据集）模式扫描样本。
STM 使用尖锐的导电尖端，在尖端和样品之间施加偏置电压。
当尖端进入表面的短距离内时（≈ 1 nm），电子开始隧穿并且电流流动。隧道电流随着尖端与表面的距离而变化，并构成成像的基础。
STM 无法对非导电材料成像。
成像具有亚埃精度（0.01 nm）的垂直和原子分辨率（0.1 nm）。
以恒定高度（当前为数据集）或恒定电流（扫描仪的垂直运动为数据集）模式扫描样本。