两步扩散工艺
- 预淀积 (预扩散，predeposit）
- 确定掺杂的杂质总量
- 推进（再扩散，drive-in）
- 让杂质在硅基体中进一步扩散，杂质总量不再变化
扩散炉的种类
根据源的种类的不同，会选择不同的扩散炉。
扩散后杂质在硅基体中的分布
杂质在硅中的扩散遵循菲克定律。
影响扩散的因素
横向扩散
杂质在纵向扩散的同时，也进行横向扩散
- 一般横向扩散长度为纵向扩散深度的 0.75—0.85;
- 横向扩散是“设计规则”要考虑的重要因素，影响 IC 的集成度，也影响 PN 结电容。
限制
- 表面浓度与扩散深度相关
- 基本上只能获得高斯或余误差分布
- 受上述各种增强扩散因素的影响，实际上很难精确控制杂质浓度和深度