对于硅片的预处理有两个主要的步骤：预烘和涂底胶。
预烘
硅片表面必须绝对干燥。只有在干燥的表面上光刻胶才会很好地附着。因此在涂胶前，硅片必须在 150～200°C 的烘箱中烘烤 15～30min，以使硅片表面彻底干燥。
涂底胶
涂底胶一般就涂一层非常非常薄的化学增附剂 HMDS，从而促进光刻胶和硅片表面结合。
预处理的目的
① 去除表面污染物颗粒、有机物、工艺残余、可动离子以及水蒸气；
② 预烘烤至 100~200℃可有助于增强光刻胶与衬底的黏附性；
③ 对于亲水性衬底（如，SiO2、玻璃、贵金属膜、GaAs 等），使用增附剂增加衬底与光刻胶的黏附性，称为 增附处理。抗附着力受以下因素影响：表面湿度、底漆类型、抗化学性质、表面平滑度、表面污染。
附录
笔记来源