显影是在曝光后的重要步骤,利用曝光区域在化学性质上与未曝光的区域不同,在特定的化学溶液中选择性的保留曝光区域(负胶)或者未曝光区域(正胶)的过程。从而获得最终所需的光刻胶结构。
- 显影速率: 曝光的光刻胶的溶解速率;
- 暗腐蚀速率: 未曝光的光刻胶在显影剂中的溶解速率
显影后留下的光刻胶图形将在后续的刻蚀和离子注入工艺中作为掩膜,因此,显影是一步重要的工艺。严格的说,在显影时曝光区和非曝光区的光刻胶都有不同程度的溶解。曝光区与非曝光区的光刻胶溶解速度反差越大,显影后得到的图形对比度越高。
显影是在曝光后的重要步骤,利用曝光区域在化学性质上与未曝光的区域不同,在特定的化学溶液中选择性的保留曝光区域(负胶)或者未曝光区域(正胶)的过程。从而获得最终所需的光刻胶结构。
显影后留下的光刻胶图形将在后续的刻蚀和离子注入工艺中作为掩膜,因此,显影是一步重要的工艺。严格的说,在显影时曝光区和非曝光区的光刻胶都有不同程度的溶解。曝光区与非曝光区的光刻胶溶解速度反差越大,显影后得到的图形对比度越高。