当半导体非热平衡时(光照、结注入),由于热平衡状态下能量最低,所以载流子浓度存在回到热平衡状态的趋势。这一过程包含过量载流子的复合。
载流子复合包含: 1、Direct band to band Radiative Transition(对于硅、锗不重要) 2、Auger (o’shay) Transition(俄歇复合) 3、Shockley-Hall-Read Recombination(SRH复合) 4、Surface Recombination(表面复合)
当半导体非热平衡时(光照、结注入),由于热平衡状态下能量最低,所以载流子浓度存在回到热平衡状态的趋势。这一过程包含过量载流子的复合。
载流子复合包含: 1、Direct band to band Radiative Transition(对于硅、锗不重要) 2、Auger (o’shay) Transition(俄歇复合) 3、Shockley-Hall-Read Recombination(SRH复合) 4、Surface Recombination(表面复合)