粒子的能量与动量有如下关系，根据德布罗意的物质波理论可以写为：
以KP模型的一维周期位函数为基础，拓展到三维晶体中。在一维的k空间图是对称的，所以波矢k的正负并不会提供更多的信息。但是在三维的k空间图中，波矢k的正方向代表【100】晶向，而负方向代表【111】晶向。所以可以得出GaAs为直接带隙半导体而Si为间接带隙半导体的结论。（必须要意识到在讨论直接与间接带隙半导体时，针对的是三维的k空间图）
粒子的能量与动量有如下关系，根据德布罗意的物质波理论可以写为：
以KP模型的一维周期位函数为基础，拓展到三维晶体中。在一维的k空间图是对称的，所以波矢k的正负并不会提供更多的信息。但是在三维的k空间图中，波矢k的正方向代表【100】晶向，而负方向代表【111】晶向。所以可以得出GaAs为直接带隙半导体而Si为间接带隙半导体的结论。（必须要意识到在讨论直接与间接带隙半导体时，针对的是三维的k空间图）