速度饱和效应

在实际情况中，随着 的增加，饱和电流的增加小于二次方，这主要是因为速度饱和效应和迁移率下降。

• 在高横向场强（， 中约为 ）下，载流子速度不再随场强线性增加，趋于饱和 这称为速度饱和。在高 下会导致 按照线性而非二次关系增加。
• 在高垂直场强 () 下，载流子与界面声子更频繁地散射，从而使得 降低。这种迁移率降低效应还会导致高 下的电流低于预期。

非理想晶体管的饱和电流随 略有增加。这是由沟道长度调制效应引起的，其中较高的 Vds 增加了漏极周围耗尽区的尺寸，从而有效地缩短了沟道。

对于速度饱和，

就是给给定的值？

对于短沟道器件， () ，因此会有一段拓展饱和区。

理想的晶体管（长沟道 、低电场 、忽略迁移率下降）开启电流，

如果再考虑速度饱和的话，