Q1
a
这些反应性中性自由基的各向同性来自于：
- 自由基是中性的，不受电场控制；
- 自由基的反应是化学反应；（？）
| 刻蚀时间 | 基底刻蚀深度 | A 中的底切 | S 中的底切 |
|---|---|---|---|
| Right at end point | 0 | 0 | |
| 25% over-etch |
[! question] stringer 和 footer 的作用？
b
先进 CMOS，我们没讲这部分的内容。
Q2
a
F：铜会向硅扩散； T T F：铜无法干式刻蚀，通常用 Damascene 工艺。
packag 不考，跳。
背面供电这个也不知道。
b
首先氢氧化铵会氧化基底，使得颗粒被托起，然后轻微刻蚀氧化层就能将颗粒去除。
前端工艺线 ( FEOL ) ：单个器件在半导体晶圆上形成图案
- 预扩散清洗
- 光刻后光刻胶去除与清洗
后端制程 ( BEOL ) ：单个器件通过晶圆上的布线相互连接
- 预薄膜沉积清洗
- 后接触和通孔蚀刻清洗
Q3
a
影响热氧化生长率的因素有：氧气浓度、温度 当水蒸气存在的时候，二氧化硅热氧化会更快。因为水分子体积更小，更容易扩散进基底发生反应。
b
如果要生成厚氧化层，应该考虑使用湿法氧化。因为湿法氧化生成氧化层的速度更快。
c
为了抛光氧化物薄膜，应当选用碱性的浆料来软化氧化层，从而便于抛光。
首先碱性的浆料会软化氧化层，随后浆料中的颗粒会通过机械作用对突出的部分进行磨损。
d
| 表征工具 | 工作原理 |
|---|---|
| 电子探针 | 发射 |
| 扫描电子显微镜 (SEM) | 发射 |
| 透射电子显微镜 (TEM) | 透射 |
| 光致发光 (PL) | 发射 |
| 吸收系数 | 透射 |
| 光学显微镜 | 反射 |
| 红外光谱 (IR) | 透射* |
| 椭圆偏振法 | 反射 |
| 卢瑟福背散射 (RBS) | 反射 |
| 二次离子质谱 (SIMS) | 发射 |
e
两点最小可分辨距离
指向原始笔记的链接
为自由空间波长； 为浸没介质的折射率； 为透镜在物体处所张半角； 为数值孔径。
261.43 nm
f
如何减小介电常数？换低 k 材料或者引入空隙。
Q4
a
浆料包含酸性或者碱性化学物质以及颗粒。化学物质能软化晶圆表面，颗粒能通过机械作用去除晶圆表面不平整的部分。
如果要抛光金属，应该用酸性的。
| 变量 | 对CMP工艺和晶圆表面的影响 |
|---|---|
| 下压力增加 | 正面影响：提高材料去除率（MRR），加快抛光效率。 负面影响： - 加剧不均匀性（如碟形凹陷、边缘侵蚀）； - 增加表面划痕和微观损伤风险； - 可能破坏脆性材料（如低介电层）。 |
| 压盘速度增加 | 正面影响：增强剪切力，提升抛光均匀性（若与压力匹配）。 负面影响： - 高速摩擦导致局部温升，可能改变化学反应平衡； - 抛光液分布不均，加剧边缘过度抛光。 |
| 抛光垫寿命增加 | 正面影响：降低更换频率，节省成本。 负面影响： - 垫表面钝化，去除率下降，需更高压力补偿； - 孔隙堵塞导致抛光液传输效率降低，均匀性恶化； - 划痕和缺陷率上升。 |
b
在光刻的形成形成图样，在刻蚀时保护不需要被刻蚀的部分。
如果软烘焙温度过高，主要的问题应该会是图样变得模糊甚至断裂，使得光刻胶失效。
| 步骤 | 作用 |
|---|---|
| 4. Alignment and exposure | 将掩膜上的图样转移到光刻胶 |
| 5. Post-exposure bake (PEB) | 在使用 DUV 时需要。用于避免由于光刻胶不均匀而导致的曝光不充分（充分使得光刻胶曝光）。 |
| 6. Develop | 溶解（dissolve）已曝光的光刻胶 |
| 7. Hard bake | 蒸发光刻胶中剩余的（residual）溶剂 硬化光刻胶，便于离子注入和蚀刻 提高光刻胶附着力 |
| 8. Develop inspect | 检查流程的质量，保证图样的正确转移 |
| 方法 | 优点 | 缺点 |
|---|---|---|
| 光刻胶染色 | 直接降低驻波 | 过量吸收光，使得产率下降 |
| PEB | 显著减少线宽粗糙度和关键尺寸波动 | 过度扩散会导致分辨率损失或者热预算限制 |
| BARC | 通过吸收和相消干涉消除反射 | 需干法刻蚀去除 BARC |
| TARC | 无需刻蚀 | 对衬底反射抑制较弱 |
Q5
a
因为传统光刻胶对于光的吸收率太高，使得光子很大一部分被吸收并产生热量，少部分才能与光刻胶反应。由此需要高剂量的光照才能实现光刻。这也导致了对步进（投影）镜头的损坏，曝光速度降低和吞吐量降低。
b
图样调制参数定义式
指向原始笔记的链接
为相对最大光强； 为相对最小光强。
调制传递函数定义式
指向原始笔记的链接
为光刻胶上的图样调制； 为掩膜上的图样调制。
MTF = 0.466 不是很理解这里对比度应该如何估算，这里并没给出曝光剂量。用 MTF>=CMTF？
c
w=157.48 nm