1. 栅极电容
Transclude of MOS-栅极电容
2. 扩散电容
Transclude of 扩散电容
扩散区
有三种类型的扩散区是常见的。
三种类型的集成度逐渐上升，但是可控制性逐渐下降。对于第一种而言，两个晶体管可以分别控制，相互不受影响；而第二种也分别有单独的栅极，可以被独立控制，但是会有一些寄生效应影响；第三种则很困难去独立控制某一个晶体管。
第一个的漏源区会有
指向原始笔记的链接的寄生电容；
Transclude of MOS-栅极电容
Transclude of 扩散电容
扩散区
有三种类型的扩散区是常见的。
三种类型的集成度逐渐上升，但是可控制性逐渐下降。对于第一种而言，两个晶体管可以分别控制，相互不受影响；而第二种也分别有单独的栅极，可以被独立控制，但是会有一些寄生效应影响；第三种则很困难去独立控制某一个晶体管。
第一个的漏源区会有
指向原始笔记的链接的寄生电容；
